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2SK3131中文资料

  • 大小:420.31KB
  • 厂家:TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
  • 描述:Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
  • 标准包装:25
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:110 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3.4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:280nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:11000pF @ 10V
  • 功率 - 最大:250W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3PL
  • 供应商设备封装:TO-3P(L)
  • 包装:管件

2SK3131供应商

更新时间:2023-01-11 22:51:27
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